Presentazione
delle memorie
Le memorie si presentano nel tipico blister OCZ per le memorie di questa classe, che si presenta in maniera molto accattivante:
Ciascun modulo di memoria è costruito con l’utilizzo di 8
chip per lato aventi densità 64Mbitx8 (8Gbit=1GB), e per questi moduli sono
utilizzati dei chip DDR2 Micron D9GMH (B6-3) che grazie
a un attento processo di selezione consentono di raggiungere i timings 5-5-5-
Inoltre le memorie oggetto della
recensione implementano la caratteristica denominata EVP (Extended Voltage
Protection) che permette di sfruttare le ram al massimo incrementando il
voltaggio fino a 2.35 V +/- 5%, quindi
fino a 2.47 V senza invalidare la garanzia a vita fornita dal produttore.
Questo kit di memoria monta un PCB
a 8 strati che permette di distribuire al meglio le piste dei circuiti negli
strati del PCB riducendo al minimo i cosiddetti “crosstalk”, ovvero le
intersezioni delle piste dei circuiti, con un effetto benefico sulla integrità
e sulla precisione dei segnali.
Il dato di targa che balza subito
all’occhio è il generoso voltaggio di alimentazione che è ben al di sopra di
quello indicato dallo standard JEDEC per le DDR2 (1.8 volt). Questo corrisponde
ad una strategia mirata che tutte le maggiori case costruttrici stanno ormai
adottando da tempo sui kit di RAM top di gamma, cioè quella dell’utilizzo dei
chip di memoria più performanti, e di una selezione su tali dei chip per
consentire di lavorare tranquillamente con dei valori fuori specifica.
Come tutti i kit basati su IC Micron D9, anche questo kit di memorie migliora le proprie prestazioni all’aumentare del voltaggio. In passato si è visto come con dei kit aventi dati di targa pari a 2.2 volt, incrementando il voltaggio erogato fino a 2.4-2.5 volt, in uso giornaliero si potevano facilmente superare i dati di targa garantiti dal costruttore, impostando frequenze più elevate e timings più aggressivi. Con questo kit garantito dal costruttore a 2.35 volt si può aumentare il voltaggio erogato anche fino a 2.65 volt per ottenere delle prestazioni più spinte. Naturalmente questo pone un altro problema legato al fatto che la maggioranza delle schede madri non permette di erogare un’alimentazione così alta sulle RAM attestandosi su un valore medio di 2.4 volt.
Le caratteristiche dichiarate dal costruttore sono riassunte nella seguente tabella:
Frequenza operativa |
1066 MHz DDR2 |
Timings |
CL 5-5-5-18
(CAS-TRCD-TRP-TRAS) |
Tagli |
Moduli di memoria 128M x 64-bit 1GB (1024MB) DDR2-1160 CL4 SDRAM (Synchronous DRAM), basati su 16 64M x 8-bit DDR2 FBGA Componenti per moduloKit da 2GB (2x1 GB) ottimizzato per il Dual Channel |
Features |
UNBUFFERED, NON-ECC, garanzia a vita. |
Range di tensione |
2.35 v |
Prezzo indicativo kit da 2GB |
200 € |
Sono garantite per frequenza fuori specifica con standard JEDEC di PC 8500 quindi 1066 Mhz, con timing non molto tirati: 5-5-5-18 ma bisogna tenere conto della elevata frequenza di lavoro, con un medio elevato voltaggio, infatti 2.35 v sono normalmente erogati dalla maggior parte delle schede madri di fascia medio-alta, ma come vedremo durante i test riusciranno ad ottenere piena stabilità a questa frequenza con timing decisamente più spinti, e con i timing garantiti dalla fabbrica passare anche i 1300 Mhz in piena stabilità (incrementando il voltaggio fino a 2.55v).
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